IRF7807详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7807A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7807APBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7807ATR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7807ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7807ATRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049V/H1500TR12"
- 快动，限位，拉杆 C&K Components 9-DIP 模块 SWITCH SNAP SPDT 20A SOLDER MNT
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
- 连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 3CTS C-COL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 10PF 2KV 5% RADIAL
- 光纤 - 发射器 - 驱动器集成电路 Sharp Microelectronics PCB 安装 TRANSMITTER FIBER OPTIC 15.5MBPS
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049A/X 2"
- 连接器，互连器件 LEMO TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 PLUG CDG 3CTS C-COL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD
- 保险丝座 Cooper Bussmann 径向，圆盘 FUSEHOLDER 1/4" 16A VERT PCB
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 光纤 - 发射器 - 驱动器集成电路 Sharp Microelectronics PCB 安装 TRANSMITTER POF SQ 5V NONSCREW
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048G/X 2"
0755-22655674 
0755-83951431 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
755-83241160（ 
0755-88291559 
0755-82569753 
19166203057 
755-83252273 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-83231869 
0755-82533534 
0755-23051326 
