IRF7805ZGPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7805ZGTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7805ZGTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7805ZGTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7805ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7805ZTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫欧 @ 16A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3V/3.3V .3A 10-DFN
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1210（3225 公制） FERRITE CHIP 60 OHM 400MA 1210
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 560PF 15KV 20% RADIAL
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 13V 150MW 0503
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 66.6666MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0402
- 功率驱动器 Fairchild Semiconductor SPM32AA SMART POWER MODULE 10A SPM32-AA
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN PLUG HOUSING 2POS RED
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.5V/1.8V .3A 10-DFN
- 振荡器 Connor-Winfield 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 80.0000MHZ 3.3V +-25PPM SMD
- 功率驱动器 Fairchild Semiconductor SPM32AA IC SMART POWER MOD 15A SPM32-AA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2700PF 50V 5% U2J 0603
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 16V 150MW 0503
0755-82561519 
13510131896 
0755-83538837 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
19166203057 
0755-82542579 
0755-83231869 
010-62962871、 
075582788161 
13410941925 
18913062888 
13528893675 
0755-83244680 
