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IRF7756详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：管件

IRF7756GTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

IRF7756GTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

IRF7756GTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7756TR详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7756TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 8TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 10V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

DTS26F25-24PD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 24POS STRGHT W/PINS
IRF7203TR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IR2108
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
IRF7755TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP
IMP4-2E0-2Q-4LL-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
HCM49-4.032MABJ-UT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD
H3BBH-4018G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR40H/AE40G/HSR40H
HBC12DRTI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
DTS26F25-24SC-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 24POS SKT
IR21084PBF
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HALF BRIDGE 14DIP
HCM49-4.096MABJ-UT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.096 MHZ 18PF SMD
IMP4-2H-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
H3BBH-4036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR40H/AE40M/HSR40H
HBC12DRXN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
DTS26F25-24SD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 24POS STRGHT W/SKT

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