IRF7754详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：管件
IRF7754GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7754GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7754GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
IRF7754TR详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7754TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1984pF @ 6V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 91K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP DIFF 1.5MHZ DUAL 14SOIC
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220AB
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 12V 5.5A 8TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 39UH 1.19A SMD
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V 11A TO220AB
- 线性 - 音频处理 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DUAL AUDIO DIFF RCVR 14-SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 0.0 OHM 4 RES 1206
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULTRA FAST 600V 28A TO220AB
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 560UH 0.3A SMD
- 线性 - 音频处理 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DUAL AUDIO DIFF RCVR 14-SOIC
- RF 天线 Laird Technologies IAS 1206（3216 公制），凸起 ANT TUF DUCK 418MHZ 1/4W
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220AB 整包 IGBT PDP 300V 25A TO-220AB
0755-22655674 
0755-88291559 
0755-82524647 
0755-83209630 
18913062888 
13528893675 
0755-83226745 
0755-23919407 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83777708 
171-4729-9698 
19166203057 
0755-82723761 
