

IRF7752详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:管件
IRF7752GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7752GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
IRF7752GTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
IRF7752TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
IRF7752TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:861pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 200KHZ 16SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT PDP 330V 40A D2PAK
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT PDP 330V 40A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 6.9A SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 8.2K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP INSTR 300KHZ 14SOIC
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 1.8UH 6.5A SMD
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT 600V 78A TO220AB
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 91K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP DIFF 1.5MHZ DUAL 14SOIC
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP