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IRF7706详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：管件

IRF7706GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

IRF7706GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

IRF7706GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7706TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7706TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2211pF @ 25V; 功率_最大：1.51W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

IRF630STRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H2BBT-10108-L8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048L/H1500TR 8"
IRF7706GTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R310CFD
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262
H2MXS-2606G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
GP12MSABE(T&R)
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-2636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
IRF634
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R600C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
GP12MSCKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
IRF640N
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
H2BBT-10108-S6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"

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