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IRF7704详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：管件

IRF7704GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7704GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

IRF7704GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

IRF7704TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

IRF7704TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

H2BBT-10105-V4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015V/H1500TR 5"
FGB.1B.304.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS C-COL
IPI60R099CPA
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IRF7704TR
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
H2MXS-1036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10S/AE10M/X
GP11MSAKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2MXS-1436M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM14S/AE14M/X
IRF6217TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
H2BBT-10106-G4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015G/H1500TR 6"
FGB.1B.304.CLAM27Z
连接器，互连器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS M-COL
GP12MAKE
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-1618M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16M/X
IRF630L
FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
H2MXS-1636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16G/X
H2BBT-10106-L6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049L/H1500TR 6"

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