IRF7702详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：管件
IRF7702GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7702GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7702GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
IRF7702TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7702TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 8A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3470pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 330UH .37A SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT PDP 330V TO-220AB FP
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 5.6 OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC CURRENT MONITOR 1% SC70-6
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220AB 整包 IGBT PDP 600V 25A TO-220ABFP
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD
- 其它 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 330V 20A 34W TO-220FP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC CURRENT SHUNT MONITOR SC70-6
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 620 OHM 4 RES 1206
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT 360V 20A 34W TO220FP
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
755-83241160（ 
0755-88291559 
0512-67241533 
0755-22655674 
0755-83209630 
18913062888 
13528893675 
0755-83226745 
13510131896 
0755-18503085 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83777708 
