IRF7701详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：管件
IRF7701GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
IRF7701GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7701GTRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7701TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
IRF7701TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 10A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
- 数据采集 - 模数转换器 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） CONV A/D 10BIT 40MSPS 28-SSOP
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 270PF 50V 10% X7R 0402
- 功率驱动器 Fairchild Semiconductor 32-模块 SMART POWER MODULE 15A SPM32-AA
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
- 扁平带 3M 2520（6450 公制） CABLE 50 COND FLEX 28AWG 5’
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE ZENER 27V 1.0W DO-214AC
- 线槽，走线系统 - 附件 Hammond Manufacturing TELESCOPE FITTING 6X6"
- 评估板 - 模数转换器 (ADC) Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） EVALUATION PLATFORM HI5805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X7R 0402
- 过时/停产零件编号 Freescale Semiconductor SOFTWARE CW DSP 56800 BEAN
- 单二极管/齐纳 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE ZENER 18V 1.5W DO-214AC
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-WFDFN 裸露焊盘 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN
- 共模扼流圈 TDK Corporation 垂直式，4 PC 引脚 FILTER LINE 18MH 2A VERTICAL
- 数据采集 - 模数转换器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC ADC 24BIT PROGBL SER 20-SOIC
0755-22655674 
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-82569753 
19166203057 
0755-83051566 
010-62962871、 
0755-83209630 
18913062888 
0755-83951431 
0755-82561519 
13510131896 
0755-82561519 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
