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IRF7665S2TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫欧 @ 8.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等距 SB; 供应商设备封装：DIRECTFET SB; 包装：带卷 (TR)

IRF7665S2TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫欧 @ 8.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等距 SB; 供应商设备封装：DIRECTFET SB; 包装：剪切带 (CT)

IRF7665S2TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫欧 @ 8.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等距 SB; 供应商设备封装：DIRECTFET SB; 包装：Digi-Reel®

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