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IRF7601PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：管件

IRF7601TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：剪切带 (CT)

IRF7601TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：Digi-Reel®

IRF7601TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：剪切带 (CT)

IRF7601TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：带卷 (TR)

IRF7601TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 15V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：Digi-Reel®

DTS26F21-16JE
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 16POS STRGHT W/SKT
IMP1-3N0-3N0-1Q-05-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7601PBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
H3AXG-10110-G4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1507TR/A2015G/X 10"
IRF640STRRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
E32-T21L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER 10CM LONG DIST M3
IPR-VITERBI/HS
软件 Altera TO-220-3 IP VITERBI HIGH-SPEED RENEW
HCM25DRKH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
DTS26F21-16JN
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 16POS STRGHT W/SKT
H3AXG-10110-L8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1507TR/A3048L/X 10"
IRF644NSTRL
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
E32-T21R
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI FLEX M3 2.2MM THRUBEAM
IPR-VITERBI/SS
软件 Altera TO-220-3 IP VITERBI LOW-SPEED RENEW
HCM25DRKH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
DTS26F21-16PC-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 16POS PIN

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