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IRF7524D1GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：8-uSMD; 包装：剪切带 (CT)

IRF7524D1GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：8-uSMD; 包装：Digi-Reel®

IRF7524D1GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：8-uSMD; 包装：带卷 (TR)

IRF7524D1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：管件

IRF7524D1TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：Digi-Reel®

IRF7524D1TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）; 供应商设备封装：Micro8?; 包装：带卷 (TR)

FK28C0G1H4R7C
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 4.7PF 50V RADIAL
H2C-AC240-B
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR TIMER 11PIN SOCKET 240V
H2BBT-10103-S4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015S/H1500TR 3"
IRF7521D1TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
IRF5803TR
FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
H2C-S AC24 B
延时型 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR TIMER 11PIN SOCKET 24V
IPI041N12N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
FGA15N120ANTDTU
IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT NPT 1200V 15A TO-3P
FK28C0G1H562J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
IRF5806
FET - 单 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
H2F1.58BK
热缩布 Techflex 2:1 FAB HEATSHRINK BLK 40MM 100’
H2BBT-10104-N6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049N/H1500TR 4"
IPI09N03LA
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
FGA180N30DTU
IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT PDP 300V 10A TO-3P
FK28C0G1H682J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6800PF 50V 5% RADIAL

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