

IRF7468详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7468PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7468TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7468TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7468TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7468TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2460pF @ 20V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC AUDIO CODEC 16BIT SER 32VQFN
- 拨动开关 NKK Switches 689-BBGA 裸露焊盘 SW TOGGLE SPST LG BAT SLD LUG
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Linear Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC PREC OPAMP LOW POWER 8-DIP
- I/O 机架 Crouzet C/O BEI Systems and Sensor Company I/O MOUNTING BOARD MINI 16POS
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 标签,标记 TE Connectivity * LABEL METAL POLY 76.2X127.0MM
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor 80-LQFP MCU 32BIT 128K FLASH 80-LQFP
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC AUDIO CODEC 16BIT LP 32-QFN
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP
- 按钮 E-Switch SWITCH PUSH SPST 15A 250V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP LP PREC 8SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power DO-204AL,DO-41,轴向 MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor * IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP
- 接口 - 编解码器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盘 IC AUDIO CODEC 16BIT LP 32-QFN
- 接口 - I/O 扩展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP