IRF7460详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7460PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7460TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7460TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7460TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7460TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/PIN CABLE
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS CBL MNT PIN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 3.9UH 5% SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU PWRQUICC II 740-TBGA
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL
- 连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS CBL MNT PIN
- 固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 120NH 5% SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 668-BBGA 裸露焊盘 IC MPU POWERQUICC II 668-PBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
19166203057 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82525087 
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82561519 
0755-88291559 
0512-67241533 
18927479189 
021-51872165/ 
075582788161 
0755-84507209 
