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IRF7452详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7452PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7452QTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7452QTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7452TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7452TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 2.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

H2BXG-10108-A8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048A/X 8"
H2BBG-10102-L8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048L/H1501TR 2"
IRF7452QTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
GT-4R
配件 CW Industries TOGGLE SWITCH SAFETY COVER RED
IRF3708STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
H2BXG-10108-B4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015B/X 8"
FG1393
RF 天线 Laird Technologies IAS 径向，Can - 螺丝端子 ANT WIRELESS VHF 139MHZ 100W
H8MMS-2618M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26M/HDM26S
H2BXG-10108-G6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049G/X 8"
GT-4R
配件 CW Industries TOGGLE SWITCH SAFETY COVER RED
IRF3709SPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
H2BXG-10108-L8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048L/X 8"
FG1526
RF 天线 Laird Technologies IAS 径向，Can - 螺丝端子 ANT WIRELESS VHF 152-156MHZ 100W
H8MMS-5006M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/HDM50S
H2BXG-10108-S8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048S/X 8"

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