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IRF7450详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7450PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7450TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7450TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7450TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7450TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IMC0805ER82NJ
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR 82NH 5% 0805
KPT06B20-41SF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/SKT CABLE
LMC7221AIM5X/NOPB
线性 - 比较器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
IRF6618TRPBF
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
KMPC8347EVRAGDB
嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 620-BBGA 裸露焊盘 IC MPU POWERQUICC II 620-PBGA
KPSE01F14-12S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS CBL MNT SKT
K392K20C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
IMC0805ERR10J
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR 100NH 5% 0805
IVS1-5Q0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMPC8347EZUAGDB
嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
IRF6619TR1PBF
FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
K392K20C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
IMC0805ERR18J
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR 180NH 5% 0805
KPT06B22-21S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 21POS CABLE SKT
IVS1-5Q0-1Q0-5Q0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY

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