IRF7433详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7433PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7433TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7433TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7433TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7433TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 8.7A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1877pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT APERTURE PHOTO ACCESSORY
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 0.15UH
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049N/X 3"
- FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 径向，圆盘 CONN FPC/FFC 16POS 1MM R/A SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT APERTURE PHOTO ACCESSORY
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 10% 1210
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 0.68UH
- FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 径向，圆盘 CONN FPC/FFC 16POS 1MM R/A SMD
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048N/X 3"
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CTRLR PWM INTEL PENT 38-TSSOP
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 150NH 20% 1210
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 0.68UH
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
19166203057 
0755-82569753 
0755-82542579 
0755-88291559 
075582788161 
0755-22655674 
13510131896 
010-62962871、 
0755-82798529 
171-4729-9698 
0755-82525087 
19520735817/1 
755-83252273 
