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IRF7311PBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7311TR详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7311TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7311TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7311TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7313详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 5.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

OSTTS09A15A
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 7.5MM 9POS
OSTER090151
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 9POS 3.5MM
IRF730STRR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
OD203J
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 20K OHM .25W CARB COMP
OMAP5910JZDY2
嵌入式 - 微处理器 Texas Instruments 289-BGA IC OMAP DUAL-CORE PROC 289-BGA
PAT0603E2642BST1
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 26.4K OHM 0.15W 0.1% 0603
OSTH2050080
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5POS 7.5MM
OSTHB212280
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 21POS 7.5MM
OV-24G
配件 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands TO-46-2 透镜顶部金属罐 OVER VOLTAGE PROTECTION
OD221JE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 220 OHM .25W CARB COMP
OMAPL137BZKBT3
嵌入式 - 微处理器 Texas Instruments 256-BGA IC APPLICATIONS PROC LP 256BGA
OSTH2101080
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 10POS 10MM
PAT0603E2670BST1
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 267 OHM 0.15W 0.1% 0603
OV-24G
配件 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands TO-46-2 透镜顶部金属罐 OVER VOLTAGE PROTECTION
OSTHB232280
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 23POS 7.5MM

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