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IRF730A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF730AL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：散装

IRF730ALPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：散装

IRF730APBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF730AS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF730ASPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：400V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 欧姆 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF7309TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
DTS24F17-26JA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 26POS JAM NUT W/SKT
E32-T12B 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRDC3629A
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS International Rectifier BOARD EVAL SYNC BUCK CONTROLLER
IRFR024TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IPDH4N03LAG
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
DTS26F17-35SB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/SKT
IMC1812RQ820J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1812
E32-T12B 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRDC3842W
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS International Rectifier BOARD EVAL FOR IR3842W 4A CONV
IPF04N03LA
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IRFR024TRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IMC1812RQ82NM
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82NH 20% 1812
DTS26F17-6AN
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS PIN
DTS24F17-26SD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 26POS JAM NUT W/SKT

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