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IRF7309PBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7309QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7309QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7309TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7309TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7309TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

LM4050QAIM3X4.1/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.1V SOT23-3
KMS15-15
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc 径向，Can - 卡入式 PWR SPLY MEDICAL 15V 1A 15W
IRF7309TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
K471J15C0GH5UK5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
KPSE02E14-19PX
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS BOX MNT PIN
KPT06E16-99P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS CABLE W/PIN
IRF820ASPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
LM4050QBEM3X2.0/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2V SOT23-3
IX-30-0001
脉冲 Schurter Inc 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IX5 PULSE TRANSFORMER THT 1A
K471J15C0GK53L2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 200V 5% RADIAL
KPSE02E14-19PY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS BOX MNT PIN
KPT06E16-99S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS W/SKT CABLE
IRF820ASTRR
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IX6R11S6T/R
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 IXYS 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
LM4050QBIM3-4.1/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.1V SOT23-3

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