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IRF7307PBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7307QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7307QTRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7307TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7307TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7307TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A，4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫欧 @ 2.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

ISL8033AIRZ
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A DL 24QFN
KTSWT40
配件 TDK-Lambda Americas Inc 1812（4532 公制） KIT CONNECTOR FOR SWT 40
LMXN1915M100CTAS
固定式 AVX Corporation 非标准 POWER INDUCTOR 10UH 20%
IXGX50N60BD1
IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 600V 75A FRD TO-247
IRF7304TR
FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
LA A67F-V2BB-24-Z
LED - 分立式 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD，Boomerang LED SIDELED AMBER 617NM RA SMD
LMXN1915M100CTAS
固定式 AVX Corporation 非标准 POWER INDUCTOR 10UH 20%
IXI848AS1
PMIC - 稳流/电流管理 IXYS 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CURRENT MONITOR 0.7% 8SOIC
ISL8033IRZ-T7A
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A DL 24QFN
LMXS06C6M100FTAS
固定式 AVX Corporation 非标准 POWER INDUCTOR 10UH SHIELDED
IXKH47N60C
FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
LA C9SM-CADB-24-1-Z
LED - 高亮度，电源 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2.10mm L x 1.60mm W x 0.75mm H LED CERAMOS AMBER 617NM SMD
ISL8036ADUALEVAL1Z
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 BOARD EVAL FOR ISL8036A
KTT-381127-5-1A
标签，标记 TE Connectivity 1812（4532 公制） LABEL ID PRODUCT
LMXS0704M680DTAS
固定式 AVX Corporation 非标准 POWER INDUCTOR 68UH SHIELDED

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