

IRF7306PBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7306QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7306QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7306TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7306TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7306TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 470PF 50V 5% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 触摸 C&K Components 径向,Can - 卡入式 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 26POS CABLE W/PIN
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS BOX MNT W/SKTS
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 触摸 C&K Components 径向,Can - 卡入式 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 26POS W/PIN CABLE
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS BOX MNT PIN