

IRF7303PBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7303QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7303QTRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
IRF7303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- IGBT - 单路 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V 75A DUAL TO-268
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 16TQFN
- 线性 - 比较器 Maxim Integrated 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC COMPARATOR GP DUAL 8-UMAX
- PMIC - 电源管理 - 专用 STMicroelectronics PowerSSO-36 裸露底部焊盘 IC PWR MGMT LIN/CAN HS POWERSSO3
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
- IGBT - 单路 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 900V 75A FRD TO-268
- 配件 TDK-Lambda Americas Inc 1812(4532 公制) KIT CONNECTOR FOR SWT 40
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 16TQFN
- RF 收发器 Texas Instruments 60-TFBGA IC SRL PORT MOD BLUETOOTH 60FBGA
- LED - 分立式 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 LED 3MM 615NM AMBER DIFF RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 4A 16TQFN
- 配件 TDK-Lambda Americas Inc 1812(4532 公制) KIT CONNECTOR FOR SWT 40
- 固定式 AVX Corporation 非标准 POWER INDUCTOR .47UH 20%
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 75A 600V PLUS247
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC