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IRF7220详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7220GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7220GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7220GTRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7220TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

IRF7220TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：14V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8075pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

DTS26F25-29PC-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS PIN
IRF7805ATRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
HCM49-5.000MABJ-UT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 5.000 MHZ 18PF SMD
HBU271KBBCJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 270PF 2KV 10% RADIAL
IRF720SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
HBC13DREI-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
H3BBS-2436G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR24S/AE24G/HSR24S
IMP4-2L0-1Q0-08-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F25-29PD
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 29POS STRGHT W/PINS
HBU330KBBUARKR
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 33PF 2KV 10% RADIAL
IRF7805TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
HBC13DREN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
H3BBS-2436M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HSR24S/AE24M/HSR24S
DTS26F25-29PD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 29POS PIN
IMP4-2L0-2L0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

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