

IRF7207详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7207PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
IRF7207TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7207TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
IRF7207TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
IRF7207TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 5.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR 12K OHM .25W CARB COMP
- 内电路编程器、仿真器以及调试器 NXP Semiconductors DEBUGGER J-LINK JTAG
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 22POS 5MM
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 12PS 5MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0603(1608 公制) RES 17.4K OHM 0.15W 0.1% 0603
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 3POS
- RF 接收器、发射器及收发器的成品装置 Linx Technologies Inc XMITTER KEYFOB 433MHZ 3 BUTTON
- 通用嵌入式开发板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) NXP Semiconductors EVAL BOARD FOR LPC1300
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 23POS 7.5MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0603(1608 公制) RES 18.2K OHM 0.15W 0.1% 0603
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 3PS 5.08MM
- RF 接收器、发射器及收发器的成品装置 Linx Technologies Inc XMITTER HS LNG-RANGE 433MHZ 8BTN
- 接线座 - 接头,插头和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 7.5MM 3POS
- 配件 NXP Semiconductors MODULE DIMM LPC2478 ARM7