IRF7201的供应信息|PDF资料|求购IRF7201上51电子网

IRF7201详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7201PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：管件

IRF7201TR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7201TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

IRF7201TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

IRF7201TRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

KMQ350VS471M35X30T2
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 350V 20% SNAP
KPT06E14-18SA206
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 18POS W/SKT CABLE
IRF7201
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
LM4050BIM3-2.5/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
IVS8-5W0-3W0-5Q0-40-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPSE02E12-10PY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT W/PINS
K470K10C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
IRF7811TR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
KMQ400VS221M25X35T2
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 400V 20% SNAP
KPSE02E12-10SA206
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT W/SKTS
K470K10C0GF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
LM4050BIM3-2.5/NOPB
PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
IVS8-5W0-5W0-5W0-83-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7811WTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
KPT06E14-19PWDN
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS W/PIN CABLE

IRF7201 全国供应商、价格、PDF资料