IRF720详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF7201详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7201PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7201TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7201TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7201TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 7.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048V/H1501TR 2"
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048W/H1501TR 2"
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 128POS SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS .100 EXTEND
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS PANEL MNT W/SCKT
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 128POS FLANGE W/SKT
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015W/H1501TR 3"
19166203057 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82170267 
0755-82525087 
0755-23051326 
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-83051566 
0512-67241533 
