IRF7103PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7103Q详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7103QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7103QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：255pF @ 25V
- 功率_最大：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7103TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7103TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165-FPBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 155.52 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165-FPBGA
- 保险丝 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSE 30A 500V HS FERRULE
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- FET - 单 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.2PF 50V T2H 0402
- 保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 450A 500V HS BOLT-ON
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
0755-83259954 
0755-83777708 
0755-82533534 
0755-83202411 
13410941925 
18026926850/0 
0755-83242658 
0755-23991909 
17876146278/1 
0755-88291559 
755-83252273 
0755-82569753 
010-62962871、 
0755-82574045 
0755-22655674 
0755-23956875 
