IRF710详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：400V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：36W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF7101PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF7101TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF7101TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF7101TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF7103PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 32A DIRECTFET
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENS HEAT RESIST 200DEG C M4
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015G/H1505TR12"
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 25.175 MHZ 18PF SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 30POS PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048L/H1505TR12"
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS STRGHT W/SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EXTEND
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div R/A ARMORED FIBER SENSR
0755-83202411 
19166203057 
0755-83242658 
0755-82569753 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82170267 
0755-82525087 
0755-23051326 
755-83252273 
0755-82542579 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-83051566 
0512-67241533 
