IRF6678详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6678详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：带卷 (TR)
IRF6678TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6678TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：带卷 (TR)
IRF6678TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：Digi-Reel®
IRF6678TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5640pF @ 15V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 167MHZ 165LFBGA
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 1M
- 面板至面板 - 面板衬垫，堆叠器 Samtec Inc 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） CONN BOARD STKR HDR .50" 50POS
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.1PF 50V T2H 0402
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 104 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 72MBIT 133MHZ 100LQFP
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 8-SOIC
- DC DC Converters GE 模块 CONVERTER DC/DC 3.3V 165W OUT
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.2PF 50V T2H 0402
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 光纤 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL LATCH SIMPLEX 1M
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
0755-88291559 
0512-67241533 
0755-84507209 
13510131896 
19166203057 
010-62962871、 
0755-82533534 
0755-82798529 
0755-83242658 
0755-23991909 
17876146278/1 
0755-89697985 
755-83252273 
0755-82569753 
