

IRF6665详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6665TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6665TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6665TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6665TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:Digi-Reel®
IRF6665TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:-
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:剪切带 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 47UH 10% 1210
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 SH MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATR TCXO 19.44MHZ 3.3V SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .156 SLD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
- 晶体 Fox Electronics HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 5.6UH 10% 1210
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD