IRF6636TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：带卷 (TR)
IRF6636TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：Digi-Reel®
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：带卷 (TR)
IRF6636TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 18A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装：DIRECTFET? ST
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 40MHZ 1.8V SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MP MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 50MHZ 3.3V SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 24K OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 54MHZ 1.8V SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 62.5MHZ 3.3V SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 27K OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 66MHZ 3.3V SMD
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 33UH .92A SMD
0755-88291559 
0755-89697985 
0755-22655674 
0755-83291010 
13311626995 
0755-82723916 
0755-８２７８９２９６ 
021-51872165/ 
0755-88917652 
028-87781882 
18913062888 
0755-82704952 
13381567868 
010-62962871、 
