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IRF640详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF640,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1850pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF640FP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1560pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220FP; 包装：管件

IRF640L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

IRF640LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262-3; 包装：管件

IRF640N详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

H2MXS-2606G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
GP12MSABE(T&R)
按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-2636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26S/AE26G/X
IRF634
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
H2BBT-10108-N4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015N/H1500TR 8"
IRF7706TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
FG-BVX
配件 OKI/Metcal TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB FILTER GAS FOR BVX SYSTEM
IPI65R600C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
H2BBT-10108-S6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"
IRF7707GTRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
H2MXS-3036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30G/X
FGC.0B.305.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IPI70N04S4-06
FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
H2MXS-5036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/X

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