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IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

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