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IRF630NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF630NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF630NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF630NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF630NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF630NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF7509TRPBF
FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V MICRO8
E32-T16W
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENS FIBER AREA 30MM THRUBEAM
IRF624L
FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
IPR3FAD7/1L0G
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM24DRTS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
DTS26F21-11PD-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 11POS PIN
IMP1-3L0-2Q0-1E0-1L0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7523D1TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
IRF510
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
IPR3PAD2
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM24DSEH-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET
IMP1-3L0-3L0-1E0-30-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F21-11SB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IRF510SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF7524D1TR
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

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