IRF630详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列：MESH OVERLAY™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：75W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF630B_FP001详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 25V
- 功率_最大：72W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IRF630BTSTU_FP001详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 25V
- 功率_最大：72W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IRF630FP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
- 系列：MESH OVERLAY™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：TO-220FP
- 包装：管件
IRF630L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫欧 @ 5.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
IRF630NL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V
- 功率_最大：82W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .10UH 60A SMD
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 钽 Nichicon 0805（2012 公制） CAP TANT 47UF 10V 20% SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 62K OHM 2 RES 0606
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 钽 Nichicon 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 20V 20% 0603
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .40UH 44A SMD
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
- 光学 - LED，灯 - 透镜 Ledil - LENS FOR LUXEON K2
- 光学 - LED，灯 - 透镜 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 26A SMD
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 6.8 OHM 2 RES 0606
- 光学 - LED，灯 - 透镜 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
0755-83202411 
19166203057 
0755-22655674 
0755-22655674 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-82574045 
0755-83258002 
0531-88891493 
0755-82533534 
755-88608527（ 
755-83252273 
18922803401 
0755-82542579 
