IRF624详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF624L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
IRF624PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF624S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF624SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF624STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 22 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 500V 20% RADIAL
- 溫度 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC PROG TEMP SWITCH SENSOR 8-LLP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 2.2M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 10DFN
- 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDAC 190-215 VOLTS TO-92
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
- FET - 单 IXYS TO-220-3（SMT）标片 MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 270K OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 溫度 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC TEMP SENSOR 2.7V SOT23-3
- 二端交流开关元件，硅对称二端开关元件 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引线 SIDAC 200V 1A TO-92
19166203057 
0755-82561519 
0512-67241533 
0755-83268779 
0755-88917652 
010-62962871、 
15026993318 / 
15821228847 / 
0755-82569753 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0531-88891493 
0755-82533534 
0755-82170267 
