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IRF620S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF620SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF620STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF620STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF620STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF620STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

LM84BIMQAX/NOPB
PMIC - 热管理 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP
ISL84051IBZ-T
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC
IRF6201PBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 27A SO-8
KAR02LGGT
DIP E-Switch SW PIANO DIP 2 POS SEALED SMT
LM26CIM5-PHA
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT-23-5
IHLP6767GZER6R8M11
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 22.5A SMD
IPR-PCI/MT64
软件 Altera TO-220-3 IP PCI 64BIT MASTER/TARGET RENEW
K334M20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM8500IMT9B
数据采集 - 触摸屏控制器 Texas Instruments * IC TOUCHSCREEN CONTROLLR 48TSSOP
KAR02LHGT
DIP E-Switch SW DIP PIANO SEALED 2POS GOLD
IPR-PCI/T32
软件 Altera TO-220-3 IP PCI 32BIT TARGET RENEW
K334M20X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM26CIM5-PHA/NOPB
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT-23-5
IHLP6767GZERR47M51
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .47UH 63A SMD
LM86CIM/NOPB
PMIC - 热管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TEMP SENSOR DGTL 8-SOIC

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