IRF615 全国供应商、价格、PDF资料

IRF6150详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 个 P 沟道（双）

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 7.9A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：16-FlipFet?

供应商设备封装：16-FlipFet?

包装：剪切带 (CT)

IRF6150详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 个 P 沟道（双）

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 7.9A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：16-FlipFet?

供应商设备封装：16-FlipFet?

包装：带卷 (TR)

IRF6156详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET

系列：-

制造商：International Rectifier

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-FlipFet?

供应商设备封装：6-FlipFet?

包装：散装