IRF610STRL 全国供应商、价格、PDF资料
IRF610STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF610STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 欧姆 @ 2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE 1A 1600V STD SMC
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
- FET - 单 International Rectifier 4-FlipFet? MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
- IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 50A TO-3P
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24M/X
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24G/X
- IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 650V 120A TO-3P
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30H/AE30G/X
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE 1A 1600V STD SMC
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8