IRF610详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：36W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF6100详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：4-FlipFet?
- 供应商设备封装：4-FlipFet?
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6100详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：4-FlipFet?
- 供应商设备封装：4-FlipFet?
- 包装：带卷 (TR)
IRF6100PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：4-FlipFet?
- 供应商设备封装：4-FlipFet?
- 包装：带卷 (TR)
IRF610L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF610LPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：36W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
- 按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
- FET - 阵列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8-S
- PMIC - 监控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECTOR UNDERVOLT 3V SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 5% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
- DIP E-Switch SW DIP PIANO SPST 9 POS SEALED
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8SOIC
- PMIC - 监控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECT UNDERVOLT 2.7V SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
- 按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments * IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8MSOP
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-82561519 
755-83241160（ 
19166203057 
755-83252273 
0755-84507209 
0755-82542579 
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0755-82561519 
0755-83286481 
010-62962871、 
18927479189 
13681678667 
