

IRF540N_R4942详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 25V
- 功率_最大:120W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF540NL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF540NLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF540NPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF540NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF540NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 25V
- 功率_最大:130W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP INSTR 6MHZ SGL 16DIP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
- 单芯导线 Daburn Electronics WIRE TFE HV RED 20AWG .255 IN
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 3.3-6.5V@3A 20W
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 7A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
- 单芯导线 Daburn Electronics WIRE TFE HV RED 20AWG .215 IN
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模块 POWER MOD DC/DC 8.0 15.0V 3A SMD
- 单芯导线 Daburn Electronics WIRE TFE HV BLACK 22AWG .097 IN
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 19A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments TO-99-8 金属罐 IC OPAMP DIFF 200KHZ SGL TO-99-8