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IRF540详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF540详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 22A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：22A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V; 功率_最大：85W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF540,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1187pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF540A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220; 包装：管件

IRF540L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 28A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：28A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 17A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF540N_R4942详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：33A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 33A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：79nC @ 20V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 25V; 功率_最大：120W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

HCM15DRTH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND
IRF540
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 22A TO-220
E32-T15ZR 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRF3707PBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
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FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
IPP35CN10N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
IMP1-2Q1-1H1-1H1-1L1-1N1-1Q0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-35AA
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS PIN
HCM15DRTI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
IRF7455TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
IRF3707STRR
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IPP45N06S3-16
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
DTS26F19-35AB
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS PIN
IMP1-2W0-2W0-1L0-1L0-1Q0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
HCM15DRXS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非标准 CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD

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