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IRF5210SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF5210STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF5210STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 24A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF5210STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IPP80N04S3-04
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
LM2678SD-3.3/NOPB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP
IHLP5050EZER4R7M01
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 12A SMD
IRF510STRRPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
KAJ06TGGT
DIP E-Switch SWITCH DIP LOW PRO 6 POS GOLD
LM828M5X/NOPB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG SWITCHED CAP INV SOT23-5
ISL83072EIBZA-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 SGL ESD 8SOIC
IPP80N06S2-09
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
LM2678SD-ADJ
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 5A 14-LLP
KAJ09LAGT
DIP E-Switch SWITCH DIP LOW PRO 9 POS GOLD
K333K15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
LM82CIMQA
PMIC - 热管理 Texas Instruments * IC SENSOR DIGITAL TEMP 16-SSOP
ISL83072EIBZA-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 SGL ESD 8SOIC
IPP80N06S2L-05
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
LM2678SDX-3.3
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盘 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP

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