IRF5210L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 24A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF5210LPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF5210PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 24A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF5210SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF5210STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF5210STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：38A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 38A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
- PMIC - 电源控制器，监视器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC MULTIPLE POWER CTRLR 20-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 配件 NKK Switches 1812（4532 公制） CONTROLLER FOR OLED ROCKER
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8TSSOP
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-WDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3V .2A 8-LLP
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3（TO-247AD） IGBT XPT 1200V 66A TO-247
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .2A 8-LLP
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OP AMP DUAL R-R LP I/O 8SOIC
- IGBT - 单路 IXYS * IGBT B3 1200V 86A TO-247
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
0755-83202411 
13410941925 
13528893675 
0755-82533156 
0755-82561519 
13510131896 
0755-83663430 
0755-88917652 
755-83241160（ 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-83268779 
0755-82574045 
0755-82522939 
