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IRF3808STRRPBF 全国供应商、价格、PDF资料

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IRF3808STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：106A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 82A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5310pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

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跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/H1501TR 8"
IPD60R3K3C6
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
FGA.1B.302.CYCD42Z
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