IRF3717PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF3717TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF3717TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF3717TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF3717TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- FET - 单 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1812
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF 49US
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP 2.7V RRIO QUAD 14SOIC
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 3V .15A 5-USMD
- FET - 单 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 5.6UH 5% 1812
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC OP AMP 2.7V RRIO QUAD 14TSSOP
- 晶体 ECS Inc 圆柱形罐，径向 CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF CYL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 5V .15A 5-USMD
- FET - 单 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CONTROLLER DDR 28-QSOP
18674491576 
19166203057 
075582788161 
0755-88291559 
0755-23612326 
0755-22655674 
18927479189 
0755- 8251939 
0755*83682918 
755-83616256 
0755-82723761 
18913062888 
