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IRF3710SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3710STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3710STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF3710STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF3710STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3710STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

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IMS05EB390K
固定式 Vishay Dale WW SMD INDUCTOR 5 39 10%
IRF3710STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
IHLP3232CZER8R2M11
固定式 Vishay Dale IHLP-3232CZ-11 8.2 20% ER E3
CRT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPONET 4 PT THERMOCOUPLE
IPD640N06L G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
F175A3-062-D0550
风扇 - DC NMB Technologies Corporation IMPELLER 175X69.3MM 24VDC 505CFM
CRT1-VAD04ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN MIL
IPD65R600E6
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IHLP3232CZERR33M11
固定式 Vishay Dale IHLP-3232CZ-11 .33 20% ER E3
CRT1-VAD04S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN ECON
IPD70N04S3-07
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
F1760AA20
线路滤波器 Curtis Industries FILTER HI PERFORM 20A FASTON
CRT1-VAD04S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN ECON
IPD70N10S3-12
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IHLP3232DZER100M11
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 5.4A SMD