IRF3710L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:57A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 28A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3130pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF3710LPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:57A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 28A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3130pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- IGBT - 单路 Toshiba TO-3PL IGBT 600V 80A TO-3P LH
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049G/H1501TR 3"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
- 线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp 径向,Can - 螺丝端子 FLOOR GUARD SINGLE WIRES BRN 6’
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- IGBT - 单路 Toshiba 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IGBT 400V 150A 8-TSSOP
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015L/H1501TR 3"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
- 麦克风 Knowles 径向,Can - 螺丝端子 MIC COND ANALOG OMNI -53DB
- 拨动开关 CW Industries 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) SWITCH TOGGLE SPDT 12A 125V
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048W/X 8"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048N/H1501TR 3"