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IRF3710L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3710LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3710PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3710SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3710STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3710STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：57A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 28A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

CY7C136-25NXCT
存储器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
HLMP-AM64-140DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL 5MM 525NM INGAN GREEN
IRF3709ZSTRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
HFBR-4411Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
IXFR12N100Q
FET - 单 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
ISL88016IHTZ-T7A
PMIC - 监控器 Intersil SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC VOLT SUPERVISOR TSOT23-6
IRFR310
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
FVXO-LC52BR-150
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 150 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1362S-200AXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 512KX18 3.3V SYN 100TQFP
IXFR12N120P
FET - 单 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
HFBR-4501
光纤 Avago Technologies US Inc. PLASTIC FIBER CONN GRAY SIMPLEX
ISL88016IHTZ-TK
PMIC - 监控器 Intersil SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC VOLT SUPERVISOR TSOT23-6
IRFR310TRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
FVXO-LC52BR-25
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 25 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1363C-133AXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP

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